钙钛矿设备-氢导智能

产线级真空结晶设备

产品概述:

通过快速抽真空加速溶剂挥发，实现涂层的高效结晶与辅助成膜。设备采用上抽式设计与多层可调均流板，确保腔体内流场均匀稳定；集成顶升机构并兼容MES系统，专为连续在线生产打造。

核心参数:

腔体尺寸：240mm×240mm×80mm ~ 450mm×450mm×120mm
真空速率：标配 10s 可达 10Pa；可选 2s 可达 150Pa、3s 可达 150Pa、5s 可达 10Pa 等
产能节拍：约 1ppm（需配合高速上下料系统实现）

实验室级真空结晶设备

产品概述:

通过快速抽真空加速溶剂挥发，实现涂层的精密结晶与辅助成膜。设备模块化设计，可根据工艺需求，灵活配置上抽式、下抽式或内部加热式等多种方案。

核心参数:

适配基材尺寸：100mm×100mm~400mm×400mm（含硅片）
腔体尺寸：240mm×240mm×80mm ~ 450mm×450mm×120mm
真空速率：标配 10s 可达 10Pa；可选 30s 可达 1Pa、5s 可达 10Pa、3s 可达 150Pa 等

晶硅叠层钙钛矿平面涂布设备

产品概述:

晶硅叠层钙钛矿平面涂布设备，通过垂直涂覆的方式，实现硅片表面的浆料涂覆。通过涂覆工艺配合控制，可实现矩形硅片的表面满涂。高带宽运动控制系统，精确引导模头升降、供料体积，行进速度，实现高一致性的平面薄膜制备。通过设备长度延长，增加硅片装载卡盘的数量，本设备可以实现高通量硅晶叠层钙钛矿涂覆。

核心参数:

涂覆基材范围:166×166硅片。182×182硅片，182×91硅片，182×210硅片，210×210硅片，210×105硅片。

涂覆湿厚: ≥3um

成膜干厚精度：优于5%（@1000nm）

最大涂覆速度: 100mm/s

产线级钙钛矿平面涂布设备

产品概述:

本设备采用垂直涂覆工艺，专为实现大面积、高一致性的平面湿法薄膜制备而设计。搭载高带宽运动控制系统，精确协同模头升降、供料与速度；集成纳米级在线测量传感器，全程保障涂层厚度均匀性。

核心参数:

涂覆基材覆盖范围：600mm×600mm~ 2400mm×1200mm

涂覆湿厚：≥3um

成膜干厚：优于5%（@500nm）

最大涂覆速度80mm/s

产能节拍：约1ppm（需配合高速上下料系统实现）

实验室级钙钛矿平面涂布设备

产品概述:

采用垂直涂覆工艺，专为平面基材的湿法薄膜制备而优化。其设计紧凑轻量，在确保高标准涂覆效果的同时，集成完善回风系统，为操作人员提供健康防护。

核心参数:

涂覆基材覆盖范围：200mm×200mm~400mm×400mm

涂覆湿厚：≥3um

成膜干厚：优于3%（@500nm）

最大涂覆速度：100mm/s